Super Trench MOSFET系列产品采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽技术,全面提升了器件的开关特性和导通特性,同时降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg)。
Super Trench技术全面提升了产品的导通电阻温度特性,有效控制了器件导通电阻随温度增加而上升的幅度,以100V产品为例,对比普通沟槽型MOSFET产品,Super Trench技术将器件175℃下的导通电阻,倍增因子由原有的2.29降低为2.09,从而显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性。SGT MOSFET产品将更适宜于高温严酷环境下的应用。
高鲁棒性
Super Trench技术致力于提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度,同时在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量,实现快速、平稳、高效的电源管理。