武汉新瑞科电子科技有限公司

(原武汉新瑞科电气技术有限公司)

WUHAN NEWROCK ELECTRICAL TECHNOLOGY CO,.LTD.

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新洁能Trench MOS和Super Trench MOS组合,电压从20-250 V,可满足锂电池保护的应用需求

联系人:曾润泽


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锂电池保护解决方案

锂电池组件包括锂电池保护板和电芯。锂电池具有高能量和功率密度的特点。锂电池处理不当会导致严重的故障,如热失控、锂电镀、电极分解等。因此,这种电池在压力条件下需要特别小心,如过充、欠充、短路、过热等。

随着共享经济的发展,包括共享电动汽车、共享电动车、共享充电宝,对锂电池组件的需求逐年增大,安全性问题也日益凸显。

新洁能专注于MOSFET、IGBT器件的研发生产,致力于打造高效可靠的功率器件,为您提供完善丰富的产品系列。



电路拓扑

1.单模块电池是典型的电压范围不超过150伏的应用:
  • 电动工具;
  • 机器人;
  • 家用电器;
  • 电动车;
  • 低压通信服务器;

2.多模组电池应用于高压电池包,典型应用如下:
  • 新能源汽车
  • 电动叉车
  • 电动游艇
  • 储能系统
  • UPS



产品概述

目前,新洁能拥有Super Trench和Trench MOS两大产品线,可以为不同需求客户提供最合适的产品。Super Trench MOS系列拥有更低的FOM值,产品特征包括超低RDS(on), 以及高开关频率应用的低Qg,性能一流。Trench MOS系列专为驱动应用而设计,非常适合低开关频率的设计以及需要高载流能力的设计。


Trench MOSSuper Trench MOS

超高性价比

先进的技术
专为工业应用而设计专为高性能应用而设计
针对低开关频率而优化针对高开关频率而优化
性能均衡优秀的品质因数
高载流能力高效率和功率密度



SGT产品特点

Super Trench MOSFET系列产品采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽技术,全面提升了器件的开关特性和导通特性,同时降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg)。

Super Trench技术全面提升了产品的导通电阻温度特性,有效控制了器件导通电阻随温度增加而上升的幅度,以100V产品为例,对比普通沟槽型MOSFET产品,Super Trench技术将器件175℃下的导通电阻,倍增因子由原有的2.29降低为2.09,从而显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性。SGT MOSFET产品将更适宜于高温严酷环境下的应用。

高鲁棒性

Super Trench技术致力于提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度,同时在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量,实现快速、平稳、高效的电源管理。

目前,新洁能已推出第二代Super Trench MOSFET,相比于第一代产品,第二代产品特征导通电阻降低20%以上,ESD能力、大电流关断能力、短路能力提升20%以上,具有更低的栅极电阻,可以满足客户更高能效、更高可靠性的需求,产品的性价比也进一步提升。

                                    BMS短路试验中,二代Super Trench产品短路性能较一代提升。



                        单管EAS测试中,二代Super Trench产品普遍在雪崩耐量方面,比一代产品高出20%。


新洁能新一代Super Trench MOSFET具有优异的短路能力和极高的雪崩耐量可靠性,帮助您提高系统可靠性。



应用案例

当前,锂电池由于其能量密度和功率密度高的优点成为主流的储能电池,但随之而来的是显著的安全问题。锂电池在使用的过程中可能会产生起火、爆炸、冒烟、高压触电等危害,导致这些危害的原因有很多,主要有电芯过充、过流、过温等形成锂枚晶或者产生大量热,使SEI膜刺破或者分解,进而发生一系列负反应,即电芯内短路。

对于电池管理系统来说,为了避免电池系统过充、过流、过温,对动力电池进行合理的充放电管理是主要的安全要求。充放电MOSFET在电池管理系统中起着至关重要的作用。
1、短路测试

     短路测试非常考验器件的抗冲击能力,以NEP039N10D为例,客户会进行上电短路和短路后上电两种工况下的测试,每种工况至少重复测试20次以上,通过测试方可合格。

2、温升测试
      温升对于BMS来说,亦是非常重要的。锂电池组件的发热越小,整个系统的安全性越高。新洁能的Super Trench MOS&Trench MOS系列产品均具有不错的低内阻特性及高温特性,完美地解决了发热问题。下图为NCEP039N10D持续放电状态下的温升曲线。



产品指南

NCE目前共有产品1300余款,Trench MOS和Super Trench MOS组合,电压从20-250 V,可满足不同电压等级的应用需求。