公司简介：  有具体需求可联系曾先生 13264718729 （微信同）

无锡新洁能股份有限公司（以下简称“公司”）成立于2013年1月，注册资本为14,168万元，拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体三家全资子公司以及深圳分公司、宁波分公司。目前公司员工总共300余人，其中研发人员80余人。公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售，产品优质且系列齐全，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域；未来随着云计算、大数据、智能电网、无人驾驶等领域的蓬勃发展，公司产品将在该等新兴领域发挥重要作用。

公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品，是国内率先掌握超结理论技术，并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一，是国内最早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的企业，也是国内MOSFET品类最齐全且产品技术领先的公司。同时，公司是国内最早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本土企业之一，产品电压已经覆盖了12V~1700V的全系列产品、达1500余种，为国内MOSFET等功率器件市场占有率排名前列的本土企业。

公司将进一步依托技术、品牌、渠道等综合优势，结合大尺寸晶圆芯片（8英寸、12英寸）先进工艺技术，开拓国际先进功率器件封装制造技术，全力推进高端功率MOSFET、IGBT、集成功率器件的研发与产业化，持续布局半导体功率器件最先进的技术领域，并投入对SiC/GaN宽禁带半导体、智能功率器件的研发及产业化，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。

新洁能荣获的部分荣誉或资质

· 2020年国家科学技术发明二等奖

· 高新技术企业证书

· 2019年江苏省科学技术一等奖

· 第十二届无锡市专利奖

· 江苏省研究生工作站

· 2020年中国半导体功率器件十强

· 2019年中国半导体功率器件十强

· 2017年中国半导体功率器件十强

· ISO9001质量管理体系认证

· IATF16949质量管理体系认证

应用行业：汽车行业应用

新洁能-电控

在电动传动系统中，逆变器控制电机。这是电动汽车中的一个关键部分，就像燃油车辆的发动机管理系统(EMS)一样。无论电机是同步的、异步的还是无刷直流的，逆变器的工作方式都是相似的，由集成VCU控制，其设计目的是最大限度地减少开关损耗，提高热效率。逆变器不仅驱动电机，还能回收动能，并将能量反馈给电池。因此，逆变器的工作效率直接影响到整车运行效率。

       针对您对主逆变器的需求，新洁能提供了性价比极高的产品；Super Trench  MOSFET系列产品采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽技术，全面提升了器件的开关特性和导通特性，同时降低了器件的特征导通电阻（Rsp）和栅极电荷（Qg），特殊优化了器件的鲁棒性。为您的方案带来高效率、稳定性的同时，大幅节省了成本。

       配合先进的封装技术，提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度，同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量，实现快速、平稳、高效的电源管理和电机控制。

推荐产品

96V：NCEP15T14NCEP15T14DNCEP15T10VNCEP15T14LL

144V：NCEP02T10DNCEP02T11D

IC：栅极驱动 IC

新洁能-电池管理

电池管理系统 (BMS) 是一种电子控制电路，可监控并调节电池的充放电，并对整个系统进行调节。随着高功率密度的锂电池在日常生活中日益普及，随之配套的锂电池管理系统技术BMS也运营而生。BMS用于控制锂电池的充放电情况，控制充放电回路工作在适当的条件下，并且在锂电池面临失控的时候及时切断锂电池的通路，保证电池的安全性。

       新洁能针对电池管理系统的安全及可靠需求，开发出具有良好的抗电流冲击能力的优秀产品，可以充分保证被控电池周边人员的安全，极大的提高应用的可靠性也更能保证整个电池管理系统的正常运行。例如Super Trench MOSFET 系列产品采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽技术，降低了器件的特征导通电阻（Rsp）和栅极电荷（Qg）,全面提升了产品的导通电阻温度特性，有效控制了器件导通电阻随温度增加而上升的幅度，从而显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性。产品将更适宜于高温严酷环境下的应用。

推荐产品

充放电MOS：N-channel Trench MOEFET：V_DS=30V-150V    Ron@10V（max）<11mΩ

N-channel SGT-II MOSFET & N-channel SGT-I MOSFET：V_DS=30V-150V   Ron@10V（max）<10mΩ

均衡MOS：

P-channel Trench MOSFET：V_DS=-20V   Ron@4.5V（max）=40mΩ-70mΩ   V_DS=-30V    Ron@4.5V（max）=35mΩ-95mΩ

N-channel Trench MOEFET：V_DS=20V    Ron@4.5V（max）=15mΩ-45mΩ  V_DS=30V   Ron@4.5V（max）=15mΩ-75mΩ

新洁能-启停器

  随着排放法规和能耗标准越来越严苛，自动启停技术正逐渐普及。配有此功能的汽车，在驾驶员踩下刹车，一般两秒后发动机就会自动熄火，发动机停止前，使活塞停在合适的位置；再次起动时，通过燃烧和12V起动机的共同作用来起动发动机。实现了在等红绿灯等短时停车减少排放和降低油耗的目标。

       新洁能Super Trench MOSFET 系列40V产品，能实现低传导损耗（最优的RDSon性能）、低开关损耗（优良的开关特性），并改进体二极管反向恢复特性和改善系统EMC。同样，你也可以选用Normal Trench MOSFET系列40V产品，来获得更强的鲁棒性；

       配合先进的封装技术，提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度，同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量，实现快速、平稳、高效的电源管理和电机控制。

推荐产品

N-channel Trench MOS：V_DS=40V    Ron@10V（max）=1.6mΩ-2.35mΩ

N-channel SGT Gen.2 MOS & N-channel SGT Gen.1 MOS：V_DS=40V  Ron@10V（max）=1.3mΩ-4.0mΩ

IC：栅极驱动 IC

新洁能-车载逆变器

 车载逆变器是一种能够将 DC12V直流电转换为和市电相同的交流电，供一般电器使用，是一种方便的车用电源转换器。通过点烟器输出的车载逆变器可以是 20W 、40W 、80W 、120W 直到150W 功率规格的。再大一些功率逆变电源要通过连接线接到电瓶上。车载逆变器主要由DC-DC升压电路、AC-DC全桥逆变电路、防反接电路组成。

       新洁能拥有丰富的分立式半导体产品， 包括中低压MOSFET、高压超结以及IGBT，可提供最匹配应用性能需求的产品，以实现逆变器高转换效率的要求。 

       新洁能着重推出全新一代Trench FS II IGBT系列产品，通过釆用高密度器件结构设计以及先进的超薄芯片加工工艺，优化载流子注入效率和载流分布，显著降低器件的饱和压降和关断损耗，从而降低器件功耗，提升系统效率。

推荐产品

防反接：

P-channel Trench MOSFET：

V_DS=-30V   Ron@10V（max）=3.2mΩ-8mΩ

V_DS=-60V   Ron@10V（max）=4mΩ-20mΩ

推挽控制：

NCE8295ANCE82H140NCE82H140DNCE80H12NCE80H12D

NCE01H10NCE01H10DNCE01H11NCE01H13NCE01H13D

NCE0240NCE0240FNCE0250DNCE0260NCE0260PNCE0260T

N-channel SGT-II MOSFET&N-channel SGT-I MOSFET：

V_DS=85V   Ron@10V（max）=1.85mΩ-5.5mΩ

V_DS=100V   Ron@10V（max）=2.1mΩ-5.0mΩ

NCEP15T14/NCEP15T14D/NCEP15T14LL

NCEP02T10/NCEP02T10T/NCEP02T10D/NCEP02T11D

全桥逆变：

超结：NCE65TF180NCE65TF180DNCE65TF180TNCE65TF130DNCE65TF130T

IGBT：

NCE20TD60BNCE20TD60BTNCE20TD60BPNCE30TD60BNCE30TD60BTNCE40TD60BPNCE40TD60BTNCE60TD60BPNCE60TD60BT

新洁能-充电桩

    随着电动交通日益成为日常生活的一部分，人们对更高效充电解决方案的需求越来越大。配备强大直流充电器的电动汽车 (EV) 快速充电站是目前的解决方案。直流电动汽车充电器是一种吸引力十足的选择，因为它们可以实现比标准交流电动汽车充电器更高效的充电速度，后者多用于电动汽车家庭使用者。通常，高功率直流充电器设计会使用交流-直流和直流-直流转换器将输入的三相交流电转换为充电汽车所需的直流电压250V-750V，构建15 kW 至 30 kW子功率模块。

       新洁能推出的Super Junction MOSFET III系列产品，通过优化器件结构设计，采用先进的工艺制造技术，进一步提高了产品性能，具有更优的雪崩耐量和ESD能力，提高了器件应用中的可靠性。同时，该系列产品采用自主创新技术，优化了器件开关特性，使其在系统应用中具有更好的EMI表现，为系统设计提供更大的余量。

推荐产品

PFC：

NCE65TF099TNCE65TF068TNCE65TF041T

HV DC-DC：

NCE65TF099TNCE65TF068TNCE65TF041T

新洁能-HID氙气灯

 过去汽车车灯多采用普通卤素灯泡，这种车灯的瓦数和亮度不够、色温过低、灯色偏黄，而且寿命较短，故障率偏高。HID氙气灯正在汽车车灯领域兴起，与传统卤素灯相比，HID氙气灯具有节能、亮度高、寿命长、安全可靠、色温与太阳光类似等优点。

       新洁能Normal Trench MOSFET系列拥有丰富的产品线，具有较低的导通内阻和极高的鲁棒性的特点。针对HID安定器应用，推出电压范围30V-200V的MOS，包括防反接、boost电路；可提供高性价比和高能效的解决方案。

推荐产品

防反接：

P-channel Trench MOSFET：

V_DS= -30V        Ron@10V（max）=3.2mΩ-8mΩ

V_DS= -60V        Ron@10V（max）=4mΩ-20mΩ

Boost：

V_DS=80V：NCE8295ANCE80H12NCE80H12D

V_DS=100V：NCE01H10NCE01H10DNCE01H11

V_DS=200V：NCE0240NCE0240FNCE0250DNCE0260NCE0260PNCE0260T

新洁能-车载OBC

车载充电器 (OBC) 是内置在车辆里，用于停车时从交流电网为高压电池再充电的系统。任何电动（EV）或插电式混合动力（HEV）车辆的核心都在于高压（200至450VDC）电池及其相关的充电系统。分立式高压元件被广泛用于 OBC（车载充电器）应用，并由于价格压力，取代了越来越多基于模块的解决方案。

       新洁能拥有丰富的分立式半导体产品， 包括Trench FSⅡ技术IGBT以及Super-Junction Gen.3 TF系列MOSFET，可提供高性价比和高能效的解决方案，以实现这些充满挑战性的转换器要求。 

       新洁能推出了Super Junction MOSFET III系列产品，通过优化器件结构设计，采用先进的工艺制造技术，进一步提高了产品性能，具有更优的雪崩耐量和ESD能力，提高了器件应用中的可靠性。同时，该系列产品采用自主创新技术，优化了器件开关特性，使其在系统应用中具有更好的EMI表现，为系统设计提供更大的余量。

推荐产品

超结： NCE65TF068TNCE65TF041T

IGBT： NCE60TD65BTNCE60TD65BPNCE80TD65BTNCE80TD65BP

HV DC-DC：NCE65TF099TNCE65TF041T

通讯行业应用：

新洁能-5G电源

如今的许多应用环境，如计算和存储、通信交换机和路由器以及无线通信，越来越依赖于数据处理，为了满足5G通信下庞大的数据体系，进一步推动了5G通信设备中功率电路的发展应用。整个电源系统必须具有高能效和高密度，以提供所需的高水平电源性能。

       新洁能推出的Super-Junction MOSFET Gen.3&Split Gate Trench MOSFET 系列产品在保持合理的功耗下将高能效发挥到极致，全面提升了器件的开关特性和导通特性。在优化供电的所有关键方面，通过功能性升级与工艺技术优化来降低总体成本。

       目前，新洁能已推出第二代Split Gate Trench MOSFET,相比于第一代产品，第二代产品特征导通电阻降低20%以上，ESD能力、大电流关断能力、短路能力提升20%以上，具有更低的栅极电阻，可以满足客户更高能效更高可靠性的需求，产品的性价比进一步提升。

推荐产品

PFC:

Super-Junction Gen.3 MOS & Super-Junction Gen.3 TF MOS & Super-Junction Gen.4 MOS & Super-Junction Gen.4 NF MOS：VDS=650V-700V  Ron@10V（max）=140mΩ-360mΩ

Fly back:

Super-Junction Gen.3 MOS & Super-Junction Gen.3 TF MOS & Super-Junction Gen.4 MOS & Super-Junction Gen.4 NF MOS：VDS=650V-700V  Ron@10V（max）=140mΩ-360mΩ

同步整流：

N-channel SGT Gen.2 MOS & N-channel SGT Gen.1 MOS：VDS=100V-150V   Ron@10V（max）＜10mΩ

新洁能-基站电源

    随着移动通信网络业务向数据化、分组化方向发展，移动通信基站的发展趋势也必然是宽带化、大覆盖面建设及IP化。市场对于基站电源的应用需求也是逐渐提高，其中，通信功率转换系统的性能改善源于高压 MOSFET 导通电阻的降低，为了可实现当前高要求的均衡型能效目标，市场也在不断追求性能更加优异的MOSFET。

       新洁能推出的Super-Junction MOSFET Gen.3&Super Trench MOSFET 系列产品在保持合理的功耗下将高能效发挥到极致，全面提升了器件的开关特性和导通特性。在优化供电的所有关键方面，通过功能性升级与工艺技术优化来降低总体成本。

       目前，针对全桥、半桥、LLC谐振开关等应用，Super-Junction MOSFET推出了优化体二极管特性的650V TF系列，使其在系统应用中具有更好的EMI表现，为系统设计提供更大的余量。同时为您提供TO-263、TO-252、 TO-220. TO-220F. TO-247在内的多款封装外形选择。

推荐产品

PFC:SJ-III MOSFET & SJ-III TF MOSFET & SJ-IV MOSFET & SJ-IV NF MOSFET :

VDS=650V Ron@10V（max）=41mΩ-140mΩ

LLC:SJ-III TF MOSFET：VDS=650V  Ron@10V（max）=41mΩ-140mΩ

同步整流：

N-channel SGT-II MOSFET & N-channel SGT-I MOSFET： 

VDS=40V-85V   Ron@10V（max）＜10mΩ 封装形式DFN、TOLL

新洁能-通信交换机和路由器

随着时代与科技的发展，互联网的连接越发重要。如果没有起连接作用的交换机和路由器，那么庞大的通信网络将会瘫痪，无论是对个人还是企业都会造成无可估量的损失。通信设备安全稳定的运行，离不开供电电源的高效可靠。目前，通过电源的软开关技术，实现电容式能量传输，显著提高48V至中间总线电压的效率及功率密度，大为改善了整体电源的成本。

       新洁能Super Trench MOSFET系列产品，能实现高频开关（低Rg），低传导损耗（最优的RDSon性能）、低开关损耗（优良的开关特性），并改良了体二极管反向恢复特性，更适合应用于软开关技术，大为改善系统EMC。

推荐产品

48V转12V：N-channel SGT-II MOSFET & N-channel SGT-I MOSFET：VDS=40V   Ron@10V（max）=1mΩ-6.6mΩ   封装形式：DFN

12V转0.5-2V MOS：NCEP25T18GU

N-channel SGT-II MOSFET & N-channel SGT-I MOSFET & N-channel Trench MOSFET：VDS=30V   Ron@10V（max）=0.85mΩ-7.1mΩ  

封装形式DFN

LLC:SJ-III TF MOSFET：VDS=650V    Ron@10V（max）=41mΩ-140mΩ

新洁能-通信交换机和路由器

 随着时代与科技的发展，互联网的连接越发重要。如果没有起连接作用的交换机和路由器，那么庞大的通信网络将会瘫痪，无论是对个人还是企业都会造成无可估量的损失。通信设备安全稳定的运行，离不开供电电源的高效可靠。目前，通过电源的软开关技术，实现电容式能量传输，显著提高48V至中间总线电压的效率及功率密度，大为改善了整体电源的成本。

       新洁能Super Trench MOSFET系列产品，能实现高频开关（低Rg），低传导损耗（最优的RDSon性能）、低开关损耗（优良的开关特性），并改良了体二极管反向恢复特性，更适合应用于软开关技术，大为改善系统EMC。

推荐产品

48V转12V：N-channel SGT-II MOSFET & N-channel SGT-I MOSFET：VDS=40V   Ron@10V（max）=1mΩ-6.6mΩ   封装形式：DFN

12V转0.5-2V MOS：NCEP25T18GU

N-channel SGT-II MOSFET & N-channel SGT-I MOSFET & N-channel Trench MOSFET：VDS=30V   Ron@10V（max）=0.85mΩ-7.1mΩ  

封装形式DFN

LLC:SJ-III TF MOSFET：VDS=650V    Ron@10V（max）=41mΩ-140mΩ

应用行业：工业

新洁能-变频器

变频器主要由整流（交流变直流）、滤波、逆变（直流变交流）、制动单元、驱动单元、检测单元微处理单元等组成。变频器靠内部IGBT的开断来调整输出电源的电压和频率，根据电机的实际需要来提供其所需要的电源电压，进而达到节能、调速的目的，另外，变频器还有很多的保护功能，如过流、过压、过载保护等等。随着工业自动化程度的不断提高，变频器也得到了非常广泛的应用。

       新洁能利用沟槽栅场截止型IGBT技术（Trench Field Stop）理论，通过采用高密度器件结构设计以及先进的超薄芯片加工工艺，推出全新一代Trench FS Ⅱ IGBT系列产品，该系列产品通过优化载流子注入效率和载流子分布，显著降低器件饱和压降和关断损耗，从而降低器件功耗，提升系统效率。

推荐产品

600V-650V IGBT：VCE=600V    IC=15A-80A 

              VCE=650V    IC=60A-80A

1200V-1350V IGBT ： IC=15A-100A     Switching Frequency=1-20KHz

PIM：

半桥：34mm/62mm/E2封装 

全桥：VCE=1200V  ID<200A以内

新洁能-电焊机

     逆变焊割设备的工作过程，是将三相或单相 50Hz 工频交流电整流、滤波后得到一个较平滑的直流电，由IGBT或场效应管组成的逆变电路将该直流电变为15～100kHz 的交流电，经中频主变压器降压后，再次整流滤波获得平稳的直流输出焊接电流（或再次逆变输出所需频率的交流电）。逆变焊割设备的控制电路由给定电路和驱动电路等组成，通过对电压、电流信号的回馈进行处理，实现整机循环控制，采用脉宽调制PWM 为核心的控制技术，从而获得快速脉宽调制的恒流特性和优异的焊割工艺效果。

       新洁能针对焊机开发焊机专用IGBT，采用Trench FSⅡ技术，具有更低的关断损耗，系统温升更低，抗冲击能力更强，具有很强的性价比。

推荐产品

600V-650V IGBT：IC=15A、25A、40A、60A、80A 

1200V-1350V IGBT ：IC=15A、25A、40A、50A、75A、100A  W系列

PIM：半桥：34mm、62mm封装

新洁能-逆变器

UPS

      UPS（Uninterruptible Power System ），即不间断电源，是一种含有储能装置，以逆变器为主要组成部分的恒压恒频的不间断电源。主要用于给单台计算机、计算机网络系统或其它电力电子设备提供不间断的电力供应。当市电输入正常时，UPS 将市电稳压后供应给负载使用，此时的UPS就是一台交流市电稳压器，同时它还向机内电池充电；当市电中断（事故停电）时， UPS 立即将机内电池的电能，通过逆变转换的方法向负载继续供应220V/380V交流电，使负载维持正常工作并保护负载软、硬件不受损坏。UPS 设备通常对电压过大和电压太低都提供保护。

       新洁能利用沟槽栅场截止型IGBT技术（Trench Field Stop）理论，通过采用高密度器件结构设计以及先进的超薄芯片加工工艺，推出全新一代Trench FS Ⅱ IGBT系列产品，该系列产品通过优化载流子注入效率和载流子分布，显著降低器件饱和压降和关断损耗，从而降低器件功耗，提升系统效率。

600V-650V IGBT：ID=15A-80A 

1200V-1350V IGBT :ID=15A-100A     Switching Frequency=15-40KHz

PIM：

全桥：VCE=1200V   IC<200A

新洁能-光伏逆变器

光伏逆变器在单个光伏 (PV) 电池板上转换电源，单个光伏电池板的额定功率通常为 400W，多个光伏电池板的额定功率则高达 1.5KW。光伏逆变器通常基于两级式电源转换。首先，直流转直流阶段或升压电路将可变直流电压转换为固定直流电压（通常为 40 V - 60 V）。同时，通过最大功率点跟踪技术能较大限度地从光伏板获取能量（通常 FSW = 100 KHz）。首先在直流转直流阶段或升压电路将可变直流电压转换为固定直流电压（通常为 40 V- 60 V）。同时，通过最大功率点跟踪技术保证从光伏板中提取最大电流。其次，在直流转交流阶段，逆变级将直流电源转换成与电网兼容的 1Φ 的交流电源。与组串式逆变器相反，微型逆变器可以连接一个、两个或四个光伏板，并分别对每个PV模块进行MPPT跟踪。

       新洁能利用沟槽栅场截止型IGBT技术（Trench Field Stop）理论，通过采用高密度器件结构设计以及先进的超薄芯片加工工艺，推出全新一代Trench FS Ⅱ IGBT系列产品，该系列产品通过优化载流子注入效率和载流子分布，显著降低器件饱和压降和关断损耗，从而降低器件功耗，提升系统效率。

推荐产品

600V-650V IGBT：IC=15A-80A 

1200V-1350V IGBT：IC=25A-100A  Switching Frequency=10-40KHz

PIM：全桥：VCE=1200V   IC<200A

半桥：E2封装

新洁能-电动工具

       电动工具有各种各样的形状， 包括树墙修剪机、 吹叶机、电锯和角磨机， 它们或由交流电源供电， 或由无线设备中的电池供电。 电动工具可以使用有刷直流、 三相无刷直流或感应电机， 这取决于面向DIY爱好者还是经常使用的专业人士， 以及设备的类型和要求的性能。 这些工具内部的电子器件需要提供高效率(尤其是在无线设计中)和较长的使用寿命， 以增强工具的易用性。

       新洁能利用沟槽栅场截止型IGBT技术（Trench Field Stop）理论，通过采用高密度器件结构设计以及先进的超薄芯片加工工艺，推出全新一代Trench FS Ⅱ IGBT系列产品，适合600V电压段产品，该系列产品通过优化载流子注入效率和载流子分布，显著降低器件饱和压降和关断损耗，从而降低器件功耗，提升系统效率，最高结温175℃，温升更低，可靠性更强。

推荐产品

600V-650V IGBT：I_D=5A-80A

新洁能-工业缝纫机

       近年来，我国服装加工业的迅猛发展造成了我国工业缝纫机的供不应求，但随着劳动成本的上升等各种因素的影响，加工企业对工业缝纫机的性能提出了越来越高的要求。目前永磁同步电机为主流动力单元的工业缝纫机正在迅速占领大部分市场，永磁同步电机相比传统离合器电机具有体积小、动态性能好、控制方便、高功率密度等优点。基本控制过程如下：DSP根据捕捉到的霍尔位置信号确定转子的当前位置并计算电机的当前转速，通过矢量控制算法和PID算法计算各个PWM输出通道的有效值。输出的PWM经驱动芯片开启响应的IGBT，使得电机的相应绕组通过电流，电机按给定的方向连续转动。

       新洁能利用沟槽栅场截止型IGBT技术（Trench Field Stop）理论，通过采用高密度器件结构设计以及先进的超薄芯片加工工艺，推出全新一代Trench FS Ⅱ IGBT系列产品，该系列产品通过优化载流子注入效率和载流子分布，显著降低器件饱和压降和关断损耗，从而降低器件功耗，提升系统效率。

推荐产品

600V-650V IGBT：I_D=15A-80A

应用行业：家电

新洁能-变频冰箱 

变频冰箱是冰箱压缩机以单相交流电动机为驱动电机，单相交流电动机采用变频供电电源，从而调节压缩机的制冷量的一种技术生产出来的冰箱。相比于定频冰箱，变频冰箱对温度的控制精度高，运行噪声小，能效高等特点，逐渐被消费者接受。

       新洁能利用沟槽栅场截止型IGBT技术（Trench Field Stop）理论，通过采用高密度器件结构设计以及先进的超薄芯片加工工艺，推出全新一代Trench FS Ⅱ IGBT系列产品，该系列产品通过优化载流子注入效率和载流子分布，显著降低器件饱和压降和关断损耗，从而降低器件功耗，提升系统效率。

推荐产品

600V-650V IGBT：I_D=7A

新洁能-变频空调 

变频空调是指加装了变频器的常规空调。变频空调的主机是自动进行无极变速的，将电网50HZ的电流经整流滤波后得到310V左右的直流电，此直流电经过逆变后，就可以得到用以控制压缩机运转的变频电源，这就将50赫兹的电网频率转变为30-130赫兹。相比于定频空调，变频空调优点体现在节能、噪声低、温控精度高、电压要求低等。

       新洁能利用沟槽栅场截止型IGBT技术（Trench Field Stop）理论，通过采用高密度器件结构设计以及先进的超薄芯片加工工艺，推出全新一代Trench FS Ⅱ IGBT系列产品，该系列产品通过优化载流子注入效率和载流子分布，显著降低器件饱和压降和关断损耗，从而降低器件功耗，提升系统效率。

PFC电路：

600V-650V IGBT：I_D=30-40A

新洁能-电视

 因液晶屏本身没有发光功能，这就需要在液晶屏后加一个照面系统，该背光照明系统由发光部件、导光板和背光电源构成。TV背光电源功率一般为100-500W，其作用就是将市电的交流电压转换成12V的直流电压输出，从而向显示器供电。由于显示器内部的主板上还有DC-DC电压转换器以获得8V/5V/3.3V/2.5V电压，所以电源输出的12V的直流电压就能满足显示器工作的要求。一般拓扑结构会采用PFC、LLC、SR、Falyback、BOOST+CC/CV拓扑等。

 新一代TV超薄的外形，对背光电源的小型化、轻薄化提出了挑战。新洁能提供了最丰富的表面贴装的高压和低压MOSFET，具有良好的EMI和出色的热性能。

PFC: 

SJ-III MOSFET：VDS=650-700V Ron@10V（max）=140mΩ-680mΩ

Flyback：

SJ-III MOSFET：VDS=650-700V Ron@10V（max）=140mΩ-680mΩ

LLC：

SJ-III TF MOSFET：Ron@10V（max）=140mΩ-360mΩ

Boost：

N-channel SGT-II MOSFET & N-channel SGT-I MOSFET : VDS=30V   Ron@10V（max）=1.65mΩ-6.4mΩ

SR：

N-channel SGT-II MOSFET & N-channel SGT-I MOSFET : VDS=40V-85V  Ron@10V（max）＜10mΩ 封装形式DFN、TOLL

N-channel SGT-II MOSFET & N-channel SGT-I MOSFET : VDS=85V     Ron@10V（max）=3.6-10.2mΩ

N-channel SGT-II MOSFET & N-channel SGT-I MOSFET : VDS=100V    Ron@10V（max）=3.0-95mΩ

N-channel SGT-II MOSFET & N-channel SGT-I MOSFET : VDS=150V    Ron@10V（max）=2-65mΩ

小信号mos：

Normal Trench：

P-channel Trench MOSFET：VDS=-20V  Id=-0.66A- -9A

P-channel Trench MOSFET：VDS=-30V  Id=-2A - -9.1A

N-channel Trench MOSFET：VDS=20V   Id=0.5A-8A

N-channel Trench MOSFET：VDS=30V   Id=2A-8A

应用行业 消费电子

新洁能-无线充

 无线充电技术凭借着简单、高效的特点在智能手机领域获得了巨大的成功，并随着市场的拓展，成为了日益普及的必备用品。可以预见，无线充电技术的进一步发展将会普及到笔记本电脑、手持电动工具等日常生活用品中，掀起全新的无线充电技术浪潮。

       NCE拥有双芯合封的技术，将无线充电器的设计面积进一步缩小，实现了更高的功率密度，更强大的充电能力。产品在保持合理的功耗下将高能效发挥到极致，全面提升了器件的开关特性和导通特性。在优化供电的所有关键方面，通过功能性升级与工艺技术优化来降低总体成本。

推荐产品

NCEP40ND80G/NCEPB302G/NCEPB303GU/NCEB301Q/NCEB301G

新洁能-LED照明

LED电源现在已经大范围地运用在我们日常生活中，由于没有光延迟效应，输出电流的上下波动会使光照出现明暗变化，即我们通常所说的频闪。为了追求输出的灯光更加稳定，在使用稳定的电压源基础上增加了去频闪电路，利用MOSFET的输出特性进一步地过滤电流实现了无频闪的光源。

       新洁能的Super-Junction Gen.3系列产品具有更快的开关速度，更低的导通损耗、极低的栅极电荷（Qg），从而降低了器件的功率损耗，提高系统效率。同时，具有高雪崩耐量，高浪涌能力等特点，为前级提供了输出纹波小，更加稳定的电源；Normal Trench MOSFET的线性区工作特性稳定，线性区工作电流变化幅度小，进一步的滤波实现了输出光源无频闪的特点。

推荐产品

N-channel Trench MOSFET：VDS=20V-100V  封装SOT-23/SOT-23-3L/SOP-8/SOT-223

SJ-III MOSFET & SJ-III TF MOSFET & SJ-IV MOSFET & SJ-IV NF MOSFET：

Ron@10V（max）=540mΩ-3900mΩ

新洁能-医疗设备

有刷直流电机与无刷直流电机因其低噪声、可操控性好、精度高等特点，成为了如今的个人医疗设备必需品，如医疗床，机械臂等设备中带有大量的电机系统。但是这些设备往往运作在各种不同的极端工作环境中，比如高温消毒设备中的温度达到了125℃以上，因此我们对器件的可靠性提出了更高的需求。

       NCE的优势：

       更小的封装尺寸：针对有刷无刷直流电机的双芯片N+N或者N+P的双芯封装芯片。

       更大的电流能力：运用CLIP和贴片式封装使芯片的散热能力更强。

       更好的可靠性：新一代的SGT技术使安全工作区域更大。

推荐产品

N-channel SGT Gen.2 MOS&N-channel SGT Gen.1 MOS&N-channel Trench MOS：

VDS=60V-100V   Ron@10V（max）=4mΩ-35mΩ  包含双芯封装N+N或者N+P

IC：栅极驱动 IC

新洁能-电动车

   电动车充电器是专门为电动自行车的电瓶配置的一个充电设备，常用的开关电源式充电器分半桥式和单激式两大类，单激类又分为正激式和反激式两类。半桥式成本高，性能好，常用于带负脉冲的充电器；单激式成本低，市场占有率高，目前市场的充电器多为反激式。

       新洁能的Super-Junction Gen.3系列产品具有更快的开关速度，更低的导通损耗、极低的栅极电荷（Qg），从而降低了器件的功率损耗，提高系统效率。又由于采用了自主创新技术，优化了器件的开关特性，器件在系统中具有更好的EMI表现。同时，新洁能超结MOSFET具有良好的鲁棒性，是充电器高效率、高可靠性的解决方案。

推荐产品

PFC ：

SJ-III MOSFET：VDS=650V-700V  Ron@10V（max）=260mΩ-680mΩ

反激：

SJ-III MOSFET：VDS=650V-700V  Ron@10V（max）=260mΩ-680mΩ  

常备型号

NCE07TD60BF、NCE07TD60B、NCE07TD60BD、NCE07T60BI、NCE07TD60BI、NCE07TD60BK、NCE10TD60BF、NCE10TD60B、NCE10TD60BD、NCE10TD60BK、NCE15TD60BF、NCE15TD60B、NCE15T60BD、NCE15TD60BD、NCE15TD60BP、NCE20TD60BF、NCE20TD60B、NCE20TD60BD、NCE20TD60BP、NCE20TD60BT、NCE20TH60BF、NCE20TH60BP、NCE30TD60BF、NCE30TD60B、NCE30TD60BD、NCE30TD60BP、NCE30TD60BT、NCE30TH60BP、NCE30TD60BPF、NCE30TH60BPF、NCE40T60BP、NCE40TD60BP、NCE40TD60BPF、NCE40TD60BT、NCE40TH60BP、NCE40TH60BPF、NCE60TD60BP、NCE60TD60BT、NCE80TD60BP、NCE80TD60BT、NCE60TD65BT、NCE60TD65BP、NCE80TD65BT、NCE80TD65BP、NCE80TD65BT4、NCE40TD65BT、NCE60TD65BT、NCE80TD65BT、NCE15TD120BT、NCE15TD120BP、NCE25TD120BT、NCE25TD120BP、NCE40TD120BT、NCE40TD120BP、NCE50TD120BT、NCE50TD120BP、NCE75TD120BT、NCE75TD120BTP、NCE100TD120BTP、NCE15TD120LT、NCE15TD120LP、NCE25TD120LT、NCE25TD120LP、NCE40TD120LT、NCE40TD120LP、NCE30TD120UT、NCE40TD120UT、NCE60TD120UT、NCE25TD120VT、NCE40TD120VT、NCE50TD120VT、NCE75TD120VT、NCE75TD120VTP、NCE100TD120VTP、NCE25TD120WT、NCE40TD120WT、NCE40TD120WW、NCE50TD120WT、NCE50TD120WW、NCE75TD120WT、NCE75TD120WW、NCE75TD120WTP、NCE100TD120WTP、NCE15TD135LT、NCE15TD135LP、NCE25TD135LT、NCE25TD135LP、NCE40TD135LT、NCE40TD135LP、NCE40TD120VTP、NCE50TD120VTP

联系人：曾经理

手 机：13264718729(微信同号)

Q Q: 3588399616

邮 箱：http://3588399616qq.com

公 司：武汉新瑞科电子科技有限公司

武汉新瑞科电子科技有限公司成立于2000年，位于武汉市东湖开发区东二产业园内，公司占地方面积7500平方米，是以电力电子器件销售为主体的贸易型企业。公司现有员工60余人，是中国电源学会会员单位，武汉电源学会秘书处挂靠单位。公司在香港、深圳、杭州、温州、西安等地设有办事机构，服务遍及全球客户。

   公司一直致力于功率半导体及其配套的电力电子元器件的代理销售，主营富士、英飞凌、宏微、比亚迪、斯达、IR、IXYS、SEMIKRON等公司的IGBT模块、IPM、晶闸管、整流桥、MOSFET、快恢复管二极管等功率器件；其他配套产品有LEM传感器、SUNON散热风扇、EPCOS电解电容；兼营产品有电源模块、变频器和低压电器、屏蔽材料等等。目前销售的产品广泛应用于UPS、逆变电焊机、变频器、高频感应加热电源、逆变电源、程控交换机电源、电力操作电源、电镀电源，超声波电源、激光电源、光伏电源、风电逆变器、电动汽车电驱、充电桩、电力推进系统等设备场合。