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英飞凌IGBT命名规则

英飞凌IGBT命名规则

 一  Simens/EUPEC IGBT 命名系统:


 Simens/EUPEC IGBT 各型号中所指电流都是在Tc=80°C时的标称,有些公司的IGBT是Tc=25°C的标称,敬请广大用户注意!

BSM100GB120DN2K

BSM--------------带反并联续流二极管(F.W.D)的IGBT模块

BYM--------------二极管模块

   100-----------Tc=80°C时的额定电流

      GA-------- 一单元模块

      GB----------两单元模块(半桥模块)

      GD----------六单元模块

      GT----------三单元模块

      GP----------七单元模块(功率集成模块)

      GAL----------斩波模块(斩波二极管靠近集电极)

      GAR----------斩波模块(斩波二极管靠近发射极)

        120-------额定电压×10

           DL------低饱和压降

           DN2----高频型

           DLC----带(EmCon)二极管的低饱和压降

   BSM系列是原西门子IGBT模块的命名系统。西门子IGBT模块归入EUPEC后,EUPEC标准系列IGBT模块仍沿用西门子型号编制系统。但EUPEC原侧重生产大功率或高压IGBT模块,即EUPEC IHM&IHV系列IGBT模块有其自身的命名系统,EUPEC以FF、FZ、FS、FP来命名。凡是EUPEC成为Infineon(英飞凌)100%子公司后,所有IGBT模块均按EUPEC  IGBT命名系统来命名.

FF400R12KE3
FZ------------ 一单元模块

FF--------------两单元模块(半桥模块)

FP--------------七单元模块(功率集成模块)

FD/DF------------斩波模块

F4---------------四单元模块

FS---------------六单元模块

DD---------------二极管模块

  400-------------Tc=80°C时的额定电流

     R------------逆导型

     S-------------快速二极管

      12-----------额定电压×100

        KF---------高频型(主要在大模块上使用)

        KL--------低饱和压降(主要在大模块上使用)

        KS--------短拖尾高频型

        KE--------低饱和压降

        KT--------低饱和压降高频型


二  Simens/EUPEC SCR 命名系统:


T 930 N 18 T M C
T----------------------晶闸管

D----------------------二极管

 930-----------------平均电流

   0-----------------标准陶瓷圆盘封装

   1-----------------大功率圆盘

   4-----------------厚19mm

   6-----------------厚35mm

   7-----------------厚08mm

   8-----------------厚14mm

   9-----------------厚26mm

   3-----------------光触发型

    N-----------------相控器件

    F---------------居中门极型快速晶闸管

    S---------------门极分布式快速晶闸管二极管

     18 ----------耐压×100

       B--------引线型

       C-----------------焊针型

       E-----------------平板式

       T-----------------圆盘式

        M -------------关断时间(A、B、C、D等表示关断时间)

        C ----关断电压斜率(B、C、F等)

TT 430 N 22 K O F

TT ----------------------双晶闸管结构

DD----------------------双二极管结构

TD/DT------------------- 一个二极管&一个晶闸管

   430-------------------平均电流

      N------------------相控器件

      F-------------------居中门极型快速晶闸管

      S-------------------阴极交错式快速晶闸管

       22--------------耐压×100

         K-----------模块

          O---------关断时间

           F -----断电压斜率

 

英飞凌IGBT命名规则

 一  Simens/EUPEC IGBT 命名系统:


 Simens/EUPEC IGBT 各型号中所指电流都是在Tc=80°C时的标称,有些公司的IGBT是Tc=25°C的标称,敬请广大用户注意!

BSM100GB120DN2K

BSM--------------带反并联续流二极管(F.W.D)的IGBT模块

BYM--------------二极管模块

   100-----------Tc=80°C时的额定电流

      GA-------- 一单元模块

      GB----------两单元模块(半桥模块)

      GD----------六单元模块

      GT----------三单元模块

      GP----------七单元模块(功率集成模块)

      GAL----------斩波模块(斩波二极管靠近集电极)

      GAR----------斩波模块(斩波二极管靠近发射极)

        120-------额定电压×10

           DL------低饱和压降

           DN2----高频型

           DLC----带(EmCon)二极管的低饱和压降

   BSM系列是原西门子IGBT模块的命名系统。西门子IGBT模块归入EUPEC后,EUPEC标准系列IGBT模块仍沿用西门子型号编制系统。但EUPEC原侧重生产大功率或高压IGBT模块,即EUPEC IHM&IHV系列IGBT模块有其自身的命名系统,EUPEC以FF、FZ、FS、FP来命名。凡是EUPEC成为Infineon(英飞凌)100%子公司后,所有IGBT模块均按EUPEC  IGBT命名系统来命名.

FF400R12KE3
FZ------------ 一单元模块

FF--------------两单元模块(半桥模块)

FP--------------七单元模块(功率集成模块)

FD/DF------------斩波模块

F4---------------四单元模块

FS---------------六单元模块

DD---------------二极管模块

  400-------------Tc=80°C时的额定电流

     R------------逆导型

     S-------------快速二极管

      12-----------额定电压×100

        KF---------高频型(主要在大模块上使用)

        KL--------低饱和压降(主要在大模块上使用)

        KS--------短拖尾高频型

        KE--------低饱和压降

        KT--------低饱和压降高频型


二  Simens/EUPEC SCR 命名系统:


T 930 N 18 T M C
T----------------------晶闸管

D----------------------二极管

 930-----------------平均电流

   0-----------------标准陶瓷圆盘封装

   1-----------------大功率圆盘

   4-----------------厚19mm

   6-----------------厚35mm

   7-----------------厚08mm

   8-----------------厚14mm

   9-----------------厚26mm

   3-----------------光触发型

    N-----------------相控器件

    F---------------居中门极型快速晶闸管

    S---------------门极分布式快速晶闸管二极管

     18 ----------耐压×100

       B--------引线型

       C-----------------焊针型

       E-----------------平板式

       T-----------------圆盘式

        M -------------关断时间(A、B、C、D等表示关断时间)

        C ----关断电压斜率(B、C、F等)

TT 430 N 22 K O F

TT ----------------------双晶闸管结构

DD----------------------双二极管结构

TD/DT------------------- 一个二极管&一个晶闸管

   430-------------------平均电流

      N------------------相控器件

      F-------------------居中门极型快速晶闸管

      S-------------------阴极交错式快速晶闸管

       22--------------耐压×100

         K-----------模块

          O---------关断时间

           F -----断电压斜率

 

点击次数:  更新时间:2015-06-01  【打印此页】  【关闭
 
 
 
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